158 日韩半导体战争[第3页/共4页]

在一年时候内，米国度用电脑出货量从4.8万台，暴增到20万台，家庭电脑的高速增加，对存储器芯片产生了大量需求，日本人在DRAM核心技术的科技红利抢先，这给日本DRAM厂商带来了抢占米国市场的机遇。

日本人的大获全胜，为环球半导体生长天朝家建立了一个胜利逆袭的典范。

2016年5月，日本东芝与米国闪迪(SanDisk)，合伙扶植12英寸晶圆厂，投资超越40亿美金，首要出产48层堆叠的3D NAND闪存芯片，但愿能够和韩国人再次较量一场。

但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。

1975年日本人以通产省为中间的“来世代电子计算机用VLSI研讨开辟打算”构思，设立了官民共同参与的“超大范围集成电路(VLSI)研讨开辟政策委员会”。

2015年12月米国镁光科技以32亿美圆，并购在韩台半导体战役中的失利者-华亚科技(台湾省南亚科和德国英飞凌合伙)。

日本人官产学三位一体，调和生长，通力合作，同心合力，针对高难度、高风险的研讨项目，VLSI研讨所构造多个尝试室以会战的体例，变更各单位的主动性，阐扬良性合作，各企业之间技术共享合作，共同进步DRAM量产胜利率。

日本DRAM和半导体产业产值在环球市场占有率中的生长趋势：官产学三位一体、举国体制的国度力量、财产链上游延长。

2008-2009年，中芯国际面对台积电在米国的337调查和诉讼，尔必达无法停止和中芯国际的合作，尔必达完整落空最后的朝气。

日本在64M DRAM关头技术有效研发投入上大大掉队于韩国人，日本人就此错失了第二次、第三次环球半导体硅含量晋升周期，错失PC、条记本、手机等快速提高的市场红利。

从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上环球半导体DRAM内存市场霸主。

要晓得，天朝的国度经济，2016年一年投入在半导体相干范畴的资金就高达1200亿元。

三家日本公司是NEC、日立和富士通。

第一，办理上官本位，三家归并后，办理岗亭的分派并不是遵循才气和职能停止分派，而是，任何岗亭必然要共同参与，比如某一岗亭，一正一副，如果正职来自NEC，那么日立必然是副职。这类办理在当代企业生长史上也是奇葩了。

在科技红利之有效研发投入上，远远超越米国人，这才是日本人得胜的本质。

1985、1991年两次签订的《美日半导体和谈》，固然给日本人停止极大的制约，固然米国人尽力搀扶韩国人，但形成日本人在1986-1997年的第二次DRAM天下大战-日韩半导体战役中失利，十年间断崖式下滑的首要启事还是日本人在科技红利之有效研发投入上的不敷。

本身就算拿到100亿美金全款，全数投入半导体行业，在这类国度级的合作面前，只是微不敷道。

这为前期美日半导体战役中，以个人军作战的体例在256K DRAM的决定性战役中一举打倒米国50家半导体联盟的战役中立下赫赫军功。

美日两国半导体财产长达50年相爱相杀，恩仇情仇，就此烟消云散。

在DRAM出产制程设备攻干体系中，日本人连合分歧、同心合力，这类举国体制的国度力量令人震惊。