158 日韩半导体战争[第2页/共4页]

直到明天，日本人很多行动为后代很多科技掉队国度实现科技冲破，供应很好的鉴戒意义。

要晓得，天朝的国度经济，2016年一年投入在半导体相干范畴的资金就高达1200亿元。

日本人官产学三位一体，调和生长，通力合作，同心合力，针对高难度、高风险的研讨项目，VLSI研讨所构造多个尝试室以会战的体例，变更各单位的主动性，阐扬良性合作，各企业之间技术共享合作，共同进步DRAM量产胜利率。

总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研讨所和计算机综合研讨所牵头，设立国度性科研机构-VLSI技术研讨所。

但是，微不敷道也能够进献本身的一份力量。

日韩半导体战役后，日本人已有力回天。1999年富士通宣布退出DRAM市场。曾经的三巨擘NEC、日立、三菱三家公司的DRAM部分归并，建立尔必达(Elpida)。

1960年日本人胜利研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时环球半导体产业最早进的平面制造工艺技术，使得日本人几近一夜之间就获得集成电路的出产制造技术。

第五研讨室，三菱电机，开辟制程技术与投影暴光设备，室长：奥泰二。

1980年，米国惠普公布DRAM内存采购环境，对竞标的3家日本公司和3家米国公司的16K DRAM芯片停止检测，质量查验成果为：

由日本当局出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五至公司结合筹资400亿日元。

研发的首要服从包含各型号电子束暴光设备，采取紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，获得了一系列惹人谛视标服从。

三十年会聚一朝抖擞，到1986年日本人占有环球DRAM存储器芯片市场80%份额，成为当时环球半导体财产的新霸主。

在第二次DRAM天下大战-美日半导体战役中，日本制定了三步走的计谋：

1985年开端日本经济进入泡沫化，房地产就像打了鸡血，全民进入炒房期间。1985年日本人砍掉近40%的设备更新投资和科技红利投入，1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达到80%，这就给了韩国人反超的机遇。

第二，官产学三位一体，制定国度项目停止重点攻关。

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一共经历将近三十年。

第一，摸索和思虑DRAM将来的演进方向，并建立目标以及演进途径。

从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上环球半导体DRAM内存市场霸主。

纵观米国半导体产业70年的生长汗青，独立自主的完整的半导体产业体系和完美的人才培养体系，才是大国、强国的生长之根本。独立自主的完整的半导体产业体系，就像武侠小说中教员傅的深厚内功，有了深厚内功，学甚么都会很快。

美日两国半导体财产长达50年相爱相杀，恩仇情仇，就此烟消云散。

米国三家最好DRAM公司的芯片分歧格率，比日本三家DRAM公司的芯片分歧格率，整整高出6倍。