160 天然优势，背靠祖国[第3页/共4页]

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

为了拉开与东芝的差异，三星决定新建NAND FLASH工厂。

米国人“扶韩抗日”，在米国人尽力搀扶下，特别是1985、1991年《美日半导体和谈》的签订，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追逐到抢先。

第四，财产链横向扩大，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

在闻名的《科技红利大期间》一书中，初次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研讨思惟。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达80%，这就给韩国人反超的机遇。

再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战役”中，完整打倒老敌手日本东芝。

在这一期间，韩国人首要的胜利经历有：

第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

庞煖们需求重视的是，2011年三星半导体环球发卖金额也不过才285.63亿美金，300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NAND FLASH战役”的意义之严峻性，不言而喻。

环球半导体财产的合作，已经不但是科技的合作，更是涵盖政治、经济等综合气力的国运之战。

特别是海力士，2000年，DRAM团体月产量由第三季度的6500万颗，第四时度就快速扩增到8000万颗，增加了23.07%。

由此，韩国人半导体财产链上游关头设备和电子化学品原质料初具范围。

1989年三星第一块4M DRAM与日本人几近是同时投放市场的。

别的，在20亿美金总投资以外，无锡市当局还承担厂房扶植，无锡市当局一共出资3亿美圆扶植两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体利用。

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。

2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。

至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战役，成为环球半导体产业大国。

1、三星需求的130万平方米厂房，由西安市扶植并免费供应1500亩地盘。

第一块256K DRAM投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。

从米国SUN公司引进JAVA措置器技术。

半导体产业产值从不敷2000万美圆，增加到15亿美金以上。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

南亚科，从2007年起持续亏损六年，累计亏损1608.6亿元新台币(49亿美金)。

颠末构和，三星终究挑选落户天朝西安，项目总投资300亿美金，分三期扶植。